SXJSY-05型全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是一種*測(cè)量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器，用于工頻高壓下，測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）。它淘汰了QSI高壓電橋，具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印、使用方便、無(wú)需換算、自帶高壓，抗干擾能力強(qiáng)， 測(cè)試時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)，是我廠的第三代智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀。

    SXJSY-05型全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場(chǎng)或?qū)嶒?yàn)室測(cè)試各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的高精度測(cè)試儀器。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損測(cè)試電橋，可變頻調(diào)壓電源，升壓變壓器和SF6 高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器。測(cè)試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生，經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測(cè)試。頻率可變?yōu)?5Hz或55Hz，55Hz或65Hz，采用數(shù)字陷波技術(shù)，避開了工頻電場(chǎng)對(duì)測(cè)試的干擾，從根本上解決了強(qiáng)電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量的難題。同時(shí)適用于全部停電后用發(fā)電機(jī)供電檢測(cè)的場(chǎng)合。該全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀配以絕緣油杯可測(cè)試絕緣油介質(zhì)損耗。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、超大液晶中文顯示 
SXJSY-05型全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀配備了大屏幕（105mm×65mm）中文菜單界面，屏顯分為左右兩部分，左邊為功能菜單區(qū)，右邊為相關(guān)狀態(tài)信息提示，每一步都非常清楚，操作人員不需要專業(yè)培訓(xùn)就能使用。一次操作，微機(jī)自動(dòng)完成全過(guò)程的測(cè)量，是目前非常理想的介損測(cè)量設(shè)備。 
2、海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù) 
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器，能將檢測(cè)結(jié)果按時(shí)間順序保存，隨時(shí)可以查看歷史記錄，并可以打印輸出； 
3、科學(xué)*數(shù)據(jù)管理 
儀器數(shù)據(jù)可以通過(guò)RS232導(dǎo)出，可在任意一臺(tái)PC機(jī)上通過(guò)我公司軟件，查看和管理數(shù)據(jù)并可生成工作報(bào)告。 
4、多種測(cè)試模式 
儀器能夠分別使用內(nèi)高壓、外高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)、外標(biāo)準(zhǔn)、正接法、反接法、自激法等多種方式測(cè)試；在外標(biāo)準(zhǔn)外高壓情況下可以做高電壓（大于10kV）介質(zhì)損耗。 
5、CVT測(cè)試一步到位 
該還可以測(cè)試全密封的CVT（電容式電壓互感器）C1、C2的介損和電容量，實(shí)現(xiàn)了C1、C2的同時(shí)測(cè)試。該儀器還可以測(cè)試CVT變比和電壓角差。 
6、高速采樣信號(hào) 
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制，輸出電壓連續(xù)可調(diào)。 
7、多重保護(hù)安全可靠 
    儀器具備輸入電壓波動(dòng)、輸出短路、過(guò)壓、過(guò)流、溫度等多重保護(hù)措施，保證了儀器安全、可靠。儀器還具備接地檢測(cè)功能，確保不接地設(shè)備不允許升壓。

技術(shù)參數(shù)：

１．環(huán)境溫度：０～４0℃（液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照）
２．相對(duì)濕度：３0％～７0％
３．供電電源：電壓：２２０Ｖ±１0％，頻率：５0±１Ｈz
４．外形尺寸：長(zhǎng)×寬×高＝490mm×300mm×390mm
５．重量：約18Ｋg
６．輸出功率：1ＫVA
７．顯示分辨率：４位
８．測(cè)量范圍：
介質(zhì)損耗（tgδ）：０-50％ 
電容容量（Cx）和加載電壓：
２.5ＫＶ檔：≤ ３00nＦ（ ３00000ｐＦ）
３ＫＶ檔：≤２00nＦ（ ２00000ｐＦ）
５ＫＶ檔：≤ ７6nＦ（ ７6000ｐＦ）
７.５ＫＶ檔：≤ ３4nＦ（ ３4000ｐＦ）
１０ＫＶ檔：≤ ２0nＦ（ ２0000ｐＦ）
９．基本測(cè)量誤差：
介質(zhì)損耗（tgδ）： １％±０.０7％（加載電流２０μＡ～５00ｍＡ）正接
介質(zhì)損耗（tgδ）： ２％±０.０9％（加載電流 ５μＡ～２0μＡ）反接
電容容量 （ Cx）：１.５％±１.５pＦ